彭忠献
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 反应离子刻蚀用于实现VLSI的多晶侧壁LDD MOSFET工艺优化研究
- 1990年
- 本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流量、压力、射频功率、温度等)的关系.在此基础上,结合LDD MOSFET对侧壁宽度、可控性及重复性的要求,对反应离子刻蚀法实现PSSWS-LDD进行优化,获得了优化工艺条件.
- 徐大林王方李荫波彭忠献黄敞
- 关键词：离子刻蚀VLSILDDMOSFET
- 应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究被引量：2
- 1990年
- 提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。
- 徐大林王方李荫波彭忠献黄敬
- 关键词：VLSIMOSFET
