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周剑明

作品数:6 被引量:4H指数:2
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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地区

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22 条 记 录,以下是 1-10
王霄
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:梁式引线 PIN二极管 雪崩二极管 雪崩 各向异性腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:梁式引线 ALGAAS/GAAS ALGAAS PIN管 单刀单掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐中仓
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 射频开关 手机 PHEMT 高频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振海
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:在片测试 砷化镓 成品率 测试技术 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛爱杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:势垒 4H-SIC 二极管 结终端技术 结型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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