- Ku波段电调衰减器模块设计
- 1999年
- 采用混合集成电路方法，用并联 Ｐ Ｉ Ｎ 二极管芯片在很小的腔体内制作了 Ｋｕ 波段吸收式电调衰减器，动态范围＞ ２０ ｄ Ｂ，电压驻波比＜ １４，插入损耗＜ ０８５ ｄ Ｂ，相位变化插入态／衰减态为 ２７°，传输时间＜ １００ ｎｓ，线性度优于１０％ 。介绍了该模块的电路原理、设计方法和结果。
- 顾晓春王康金
- 关键词：电调衰减器KU波段PIN二极管
- 一种小型化高功率微波PIN二极管被引量：3
- 2005年
- 通过精确控制扩散工艺和台面腐蚀工艺研制了一种小型化的高功率微波二极管。对耐微波大功率的设计、低温铅玻璃钝化、多层金属化电极系统、台面腐蚀等先进工艺技术进行了研究,样品具有耐功率大、正向电阻小、反向恢复时间短、结电容小等优点,可广泛应用于微波电调衰减器和开关等微波电路中。
- 顾晓春刘萍李圆胡星
- 关键词：小型化高功率
- 纳米硅异质结二极管被引量：9
- 2000年
- 在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
- 何宇亮王因生桂德成陈堂胜顾晓春
- 关键词：纳米硅异质结二极管
- 宽带微波限幅器模块的研究被引量：4
- 2000年
- 采用微波混合集成电路设计方法，用二只并联 ＰＩＮ二极管芯片和一只检波二极管芯片，在很小的腔体内制作了微波限幅器模块。其电参数为：频率范围 ｆ＝１．０～５．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．４３ｄＢ，输入输出电压驻波比ＶＳｗＲ≤１．５，漏功率Ｐｌｉｍ≤１．８ｍＷ（输入功率为连续波１Ｗ时）。
- 顾晓春李苏萍沈颖娣
- 关键词：宽带PIN二极管微波集成电路
- 1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- 低泄漏限幅器的研究被引量：1
- 2000年
- 采用混合集成电路设计方法 ,用 PIN二极管和检波二极管 ,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。电参数为 :频率 f=2 .5～ 3 .0 GHz,插入损耗 IL≤ 0 .3 9d B,电压驻波比 VSWR≤ 1 .3 ,漏功率 Plim≤ 0 .5 5 m W(输入连续波 1 W)
- 顾晓春徐进
- 关键词：限幅器PIN二极管混合集成电路
- SiN介质薄膜内应力的实验研究被引量：5
- 2007年
- 研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,通过工艺条件的合理选择逐步优化工艺。
- 石霞孙俊峰顾晓春
- 关键词：内应力氮化硅薄膜低压化学气相淀积
- Ku波段电调衰减器模块研究被引量：2
- 2000年
- 采用混合集成电路的方法，用并联PIN二极管芯片在很小的腔体内制作广Ku波段吸收式电调衰减器。动态范围大于20dB，电压驻波比小于1．4，插入损耗小于0．85dB，相应变化（插入态／衰减态）小于等于2．7°，传输时间小于100ns，线性度优于10％．驱动电流DC5mA、模块体积9mm（L）×7．6mm（W）×4mm（H）。
- 顾晓春王康金
- 关键词：电调衰减器KU波段PIN二极管混合集成电路
- AlGaAs梁式引线PIN管及其应用被引量：2
- 2016年
- 介绍了采用AlGaAs/GaAs异质结材料制作的梁式引线PIN管。该PIN管采用P+AlGaAs阳极异质结结构,GaAs圆片工艺,采用空气桥工艺连接正负电极引线。研制的PIN管VBR≥90V,CT≤0.022pF(VR=5V,f=1 MHz),RS≤4.9Ω(f=470 MHz,IF=20mA),τ≥5ns(IF=10mA)。使用该器件制作了W波段的SPST开关,实现在f=91GHz下,隔离度>30dB,插入损耗≤1.4dB,开关时间≤20.0ns。
- 李熙华胡永军姚常飞吴翔王霄顾晓春周剑明杨立杰
- 关键词：ALGAASPIN管梁式引线单刀单掷开关
- X波段小型化无源限幅器的研究被引量：6
- 2005年
- 采用微波混合集成电路设计方法,用并联PIN二极管和检波二极管,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。其电参数为:频率范围9GHz～10.5GHz;承受功率4W(连续波);泄漏功率≤5mW(Pin=4W,连续波);插入损耗≤2.0dB;驻波系数≤1.5;外形尺寸13.5mm×6.2mm×4.2mm;输入输出端:50Ω绝缘子。
- 顾晓春
- 关键词：小型化PIN二极管
