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陈辰

作品数：108 被引量：108H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟世昌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 氮化镓 功率放大器 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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