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任春江

作品数：48 被引量：82H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 46篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 26篇晶体管
  • 25篇电子迁移率
  • 25篇迁移率
  • 24篇高电子迁移率
  • 24篇高电子迁移率...
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  • 10篇ALGAN/...
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  • 8篇电路
  • 8篇场板
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  • 6篇HEMT
  • 6篇MMIC
  • 5篇单片微波
  • 5篇单片微波集成...

机构

  • 45篇南京电子器件...
  • 2篇微波毫米波单...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 48篇任春江
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  • 25篇陈辰
  • 24篇焦刚
  • 14篇钟世昌
  • 12篇张斌
  • 10篇李忠辉
  • 8篇薛舫时
  • 6篇董逊
  • 5篇王泉慧
  • 4篇杨乃彬
  • 4篇邵凯
  • 4篇柏松
  • 4篇李拂晓
  • 4篇余旭明
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  • 4篇陈刚
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  • 3篇沈宏昌
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传媒

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年份

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  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 13篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2006
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN HEMT的温度特性及其应用被引量：3
2011年
对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。
任春江陈堂胜余旭明张斌
关键词：高电子迁移率晶体管场板
S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
2008年
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。
柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰
关键词：金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路
SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
2008年
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受影响.微波功率测试表明,经过6min NF3等离子体处理的Al GaN/GaN HEMT在2GHz,30V工作电压下达到6.15W/mm的输出功率密度,而未经过处理的器件只达到1.82W/mm的输出功率密度.
任春江陈堂胜焦刚陈刚薛舫时陈辰
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌
高功率GaN微波功率放大模块及其应用
采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益...
唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块匹配电路
文献传递
0.15μm GaN HEMT及其应用被引量：5
2013年
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌
关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板
凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT被引量：2
2007年
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.
陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓
关键词：宽禁带半导体场板
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
2013年
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。
刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜
关键词：电容
0.5μm GaN HEMT及其可靠性
文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GH...
任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌
关键词：高电子迁移率晶体管可靠性评估
文献传递
基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC
2011年
GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；
张斌陈堂胜任春江余旭明
关键词：HEMTMMIC宽带电磁兼容设计输出阻抗
宽带GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：1
2015年
设计了一款基于MMIC工艺的宽带GaN大功率单刀双掷开关芯片,该款GaN开关芯片电路采用一个串管两并管的结构。在小信号开关芯片设计的基础上,利用了功率开关容量的理论公式,并结合电路仿真以及电磁场仿真,辅之以DOE(Design of experiment)方法设计。开关芯片实测结果表明:在DC-12GHz频带内,插入损耗<1.2dB,隔离度>40dB,P-0.1>44dBm,体积仅为1.8mm×1.0mm×0.1mm。
沈宏昌任春江韩群飞徐波李思其
关键词：宽带氮化镓大功率开关
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