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廖奇为

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
高俊华
供职机构：北京邮电大学
研究主题：GAAS 激光器 DBR 选择性湿法刻蚀 垂直腔面发射激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林世鸣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 VCSEL 半导体激光器 激光器 半导体微腔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱家廉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 反应离子刻蚀 GAAS 垂直腔面发射激光器 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 硅 半导体材料 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
渠波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 氮化镓 GAN外延层 外延层 立方GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：二维电子气 砷化镓 2DEG GAAS/ALGAAS 散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘文楷
供职机构：北方工业大学
研究主题：光子晶体 慢光 服务器 半导体微腔 卸载
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武术
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MSM光探测器 等效电路 垂直腔面发射激光器 DBR ALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 电极 垂直腔面发射激光器 CMOS 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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