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陈弘达
作品数:
441
被引量:578
H指数:11
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
理学
机械工程
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合作作者
裴为华
中国科学院半导体研究所
黄北举
中国科学院半导体研究所
陈雄斌
国防科学技术大学计算机学院
张旭
中国科学院半导体研究所
唐君
中国科学院半导体研究所
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作者
441篇
陈弘达
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裴为华
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黄北举
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张旭
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2007
40篇
2006
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2005
共
441
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与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是,p<Sup>-</Sup>型半导体衬底内设置有一个深n型阱,n型阱设置于所述衬底上,浅沟槽隔离区设置于...
毛陆虹
李炜
陈弘达
陈永权
张晓潇
文献传递
LED在现代农业的应用现状与发展战略
随着LED技术的发展和制造成本的下降,LED光源在现代农业中的应用越来越受到世界各国的广泛关注,LED不仅具有体积小、寿命长、能耗低、发光效率高、发热低等光电特性优点,而且还能根据农业生物的需要进行光谱的精确配置,可促进...
杨其长
徐志刚
陈弘达
泮进明
关键词:
LED光源
农业应用
光电特性
一种可见光通信系统的检测方法、设置方法及检测装置
一种可见光通信系统的检测方法、设置方法及检测装置,用于检测可见光通信系统在预设调制度下所对应的误码率,其中,可见光通信系统包括发光二极管(5),检测方法包括:S1,计算在预设调制度下,发光二极管(5)的第一电流值;S2,...
陈雄斌
靳永超
陈弘达
文献传递
电可调谐光栅耦合器
一种电可调谐光栅耦合器,包括:一SOI衬底,包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层;一斜入射光栅耦合器,位于SOI衬底之上的顶层硅层上;一P+掺杂区,位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内;一N+掺杂区,位于斜入射光栅耦合器...
陈弘达
张赞允
黄北举
张赞
文献传递
应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法
本发明公开了一种应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法。在植入式神经信号记录微系统中,神经信号记录微电极,神经信号预处理电路和发射机集成在一起,并植入到人的体内。神经信号记录微电极提取神经信号,经过预处理电路的...
陈弘达
陈进
张旭
文献传递
倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵
被引量:4
2003年
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。
裴为华
陈弘达
邓晖
毛陆虹
杜云
唐君
梁琨
吴荣汉
王启明
关键词:
倒装焊
谐振腔增强型
INGAAS/GAAS量子阱
InGaAs/GaAs多量子阱光电子集成倒装焊面阵器件
陈弘达
王启明
吴荣汉
毛陆虹
杜云
唐君
邓晖
梁琨
斐为华
该项目深入研究了GaAs基不同结构形态量子阱中的室温激子行为,特别是非线性光学特性;利用量子限制Stark效应(QCSE)和激子非线形特性优化设计,研制出以InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的64×64面阵光子集成...
关键词:
关键词:
光电子集成
多量子阱
用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法
本发明提供一种用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列,包括:一基底,该基底为柔性材料,该基底包括:一柔性面层,一柔性背层,该柔性面层和柔性背层的周边固定,中间形成一腔室;多个微针镶嵌在基底中的柔性面层上,所述微针的中间...
裴为华
王宇
郭凯
归强
王淑静
朱琳
陈弘达
文献传递
一种集中供湿的脑电帽及柔性微渗电极结构
本发明公开了一种柔性微渗电极,其包括柔性软管(21)、微渗接触头(22)、和导电引线(23),柔性软管(21)包括前端和后端,前端与微渗接触头(22)相连,后端与存储导电液的液囊(1)连接,柔性软管(21)中充满导电液体...
裴为华
邢潇
郭旭宏
陈弘达
文献传递
垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法
本发明一种垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块,其中包括:一高频印制电路板,在该高频印制电路板的一端形成有一信号输入端口,该信号输入端口采用镀金的插板结构;一垂直腔面发射激光器列阵,该垂直腔面发射激光器列阵以裸片的形式...
陈弘达
申荣铉
毛陆虹
唐君
裴为华
高鹏
崔增文
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