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陈堂胜

作品数：421 被引量：344H指数：9
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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孔月婵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：铝镓氮 电极 氮化物 接触系统 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴立枢
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：衬底 键合 金刚石 键合材料 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭怀新
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化镓晶体管 氮化镓器件 键合 金刚石 超大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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