2024年12月26日
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张青竹
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204
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H指数:2
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
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合作作者
殷华湘
中国科学院微电子研究所
王文武
中国科学院微电子研究所
曹磊
中国科学院微电子研究所
李永亮
中国科学院微电子研究所
李俊杰
中国科学院微电子研究所
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殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
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所获资助
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王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
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曹磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 堆栈 叠层 纳米片 侧墙
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李永亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
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李俊杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 半导体器件 沟道 纳米线 电子设备
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李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
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叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
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闫江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
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刘金彪
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
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王桂磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
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