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殷华湘

作品数：733 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 707篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 170篇电子电信
  • 20篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 2篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 331篇半导体
  • 252篇半导体器件
  • 192篇沟道
  • 167篇栅极
  • 156篇刻蚀
  • 122篇晶体管
  • 116篇衬底
  • 109篇纳米
  • 95篇鳍片
  • 91篇介质层
  • 87篇侧墙
  • 74篇金属栅
  • 73篇迁移率
  • 72篇堆叠
  • 67篇叠层
  • 67篇纳米线
  • 60篇场效应
  • 58篇掺杂
  • 55篇场效应晶体管
  • 49篇阻挡层

机构

  • 732篇中国科学院微...
  • 11篇中国科学院大...
  • 5篇贵州大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇有研科技集团...

作者

  • 733篇殷华湘
  • 171篇张青竹
  • 133篇秦长亮
  • 131篇赵超
  • 130篇朱慧珑
  • 115篇李俊峰
  • 111篇陈大鹏
  • 103篇徐秋霞
  • 82篇王文武
  • 80篇王桂磊
  • 69篇许高博
  • 69篇马小龙
  • 58篇李俊杰
  • 48篇李永亮
  • 43篇罗军
  • 42篇叶甜春
  • 33篇曹磊
  • 33篇洪培真
  • 29篇杨涛
  • 28篇尹海洲

传媒

  • 5篇真空科学与技...
  • 3篇Journa...
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇半导体光电
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 46篇2024
  • 58篇2023
  • 48篇2022
  • 56篇2021
  • 59篇2020
  • 72篇2019
  • 66篇2018
  • 68篇2017
  • 92篇2016
  • 32篇2015
  • 69篇2014
  • 39篇2013
  • 16篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
共 733 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法
本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所...
颜刚平许高博毕津顺习凯李博殷华湘王文武
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垂直纳米线晶体管与其制作方法
本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤...
殷华湘张青竹张兆浩许高博
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。沟道结构和源极以及漏极之间分别具有隔离结构，这样就可以利用隔离结构...
张青竹桑冠荞殷华湘李庆坤田国良秦旭磊
半导体器件及其制造方法
一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于...
殷华湘张永奎赵治国陆智勇朱慧珑
文献传递
半导体器件制造方法
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏区沟槽；执...
殷华湘秦长亮马小龙王桂磊朱慧珑
文献传递
多栅器件的形成方法
一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述...
殷华湘徐秋霞陈大鹏
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S/D Extension区超浅结的制备和大晶粒硅栅抑制硼穿透的工艺研究
殷华湘
关键词：固体电路超浅结氧化层
半导体器件
本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN...
殷华湘贾云丛袁烽陈大鹏
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半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方...
张青竹蒋任婕桑冠荞李庆坤曹磊王鹏殷华湘
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其特征在于：...
殷华湘闫江陈大鹏
文献传递
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