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任春江

作品数：48 被引量：82H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个北京市
共 62 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟世昌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 氮化镓 功率放大器 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王泉慧
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 HFET 场板 氮化镓 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海琪
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 步进 可靠性 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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