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郑雪帆
作品数:
8
被引量:28
H指数:3
供职机构:
南京电子器件研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈效建
南京电子器件研究所
刘军
南京电子器件研究所
王军贤
南京电子器件研究所
高建峰
南京电子器件研究所
王玉林
南京电子器件研究所
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陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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刘军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 HEMT KU波段 功率PHEMT
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王军贤
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT HEMT 单片低噪声放大器 低噪声放大器 KA波段
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高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
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王玉林
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:声表面波 PECVD 氮化硅薄膜 低应力 异质结器件
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乔宝文
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
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陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
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郝西萍
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 开关 开关模型 金属半导体场效应晶体管 MESFET
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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华培忠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 镓
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