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郑雪帆

作品数:8 被引量:28H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

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陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 HEMT KU波段 功率PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军贤
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT HEMT 单片低噪声放大器 低噪声放大器 KA波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉林
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:声表面波 PECVD 氮化硅薄膜 低应力 异质结器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔宝文
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝西萍
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 开关 开关模型 金属半导体场效应晶体管 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
华培忠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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