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张继荣

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

  • 6个电子电信
  • 6个理学
  • 2个金属学及工艺
  • 1个冶金工程
  • 1个机械工程
  • 1个电气工程

主题

  • 7个单晶
  • 6个载流子
  • 6个载流子寿命
  • 6个锗单晶
  • 6个少数载流子
  • 6个少数载流子寿...
  • 6个少子寿命
  • 6个禁带
  • 6个禁带宽度
  • 6个光注入
  • 5个硅单晶
  • 4个电阻率
  • 2个单晶片
  • 2个电学
  • 2个电阻率变化
  • 2个淀积
  • 2个淀积速率
  • 2个氧化硅薄膜
  • 2个直拉硅
  • 2个直拉硅单晶

机构

  • 7个中国电子科技...
  • 1个中电集团
  • 1个中国电子科技...
  • 1个信息产业部

资助

  • 1个国防基础科研...
  • 1个国家部委资助...

传媒

  • 7个半导体技术
  • 5个电子工业专用...
  • 3个天津科技
  • 2个电子工艺技术
  • 1个合肥工业大学...
  • 1个工业计量
  • 1个电子元件与材...
  • 1个第十三届全国...
  • 1个第十四届全国...

地区

  • 6个天津市
  • 1个北京市
共 7 条 记 录，以下是 1-7
佟丽英
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：单晶片 抛光片 电阻率 硅单晶 少子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史继祥
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：少子寿命 电阻率 硼 晶向 Γ辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俭峰
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：LPCVD TEOS 二氧化硅薄膜 均匀性 淀积速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亚帅
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：光注入 禁带宽度 少子寿命 少数载流子寿命 锗单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢友翠
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：光注入 禁带宽度 少子寿命 少数载流子寿命 锗单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戚红英
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：锗 抛光片 湿法清洗 硅晶片 硅单晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛佳伟
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：CZ硅单晶 辐照 硅单晶 电阻率变化 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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