王俭峰
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：4
- 2011年
- 采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件。
- 王俭峰佟丽英李亚光李秀强
- 关键词：LPCVD淀积速率均匀性
- 高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量：2
- 2010年
- 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
- 佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
- 关键词：锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
