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李理

作品数：9 被引量：25H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信核科学技术电气工程更多>>

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柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范晓强
供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
研究主题：裂变 脉冲堆 中子探测器 中子 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋勇
供职机构：西南科技大学
研究主题：熔石英 中子探测器 中子探测 4H-SIC 损伤阈值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈雨
供职机构：四川大学电子信息学院
研究主题：压电陶瓷 混凝土 混凝土中 应力 压电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
荣茹
供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
研究主题：中子注量 双极晶体管 直流增益 中子辐照 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴健
供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
研究主题：4H-SIC 中子探测器 半导体探测器 肖特基二极管 中子探测
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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