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陈继义
作品数:
38
被引量:45
H指数:4
供职机构:
南京电子器件研究所
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相关领域:
电子电信
电气工程
自动化与计算机技术
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合作作者
陈效建
南京电子器件研究所
李拂晓
南京电子器件研究所
陈堂胜
南京电子器件研究所
戴永胜
南京电子器件研究所
俞土法
南京电子器件研究所
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陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
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戴永胜
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
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蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
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俞土法
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
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林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
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刘琳
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 可变衰减器 相移 多倍频程 超小型
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杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
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陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
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