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孙国胜

作品数：168 被引量：54H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

  • 65个电子电信
  • 42个理学
  • 34个一般工业技术
  • 32个机械工程
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  • 3个建筑科学
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  • 2个天文地球

主题

  • 53个衬底
  • 51个碳化硅
  • 45个半导体
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  • 36个二极管
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  • 30个电学
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  • 29个淀积
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  • 24个氮化铝
  • 22个氮化镓

机构

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  • 1个河南大学
  • 1个青岛大学
  • 1个四川师范大学
  • 1个武汉大学
  • 1个西安交通大学

资助

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传媒

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  • 11个第十二届全国...
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地区

  • 60个北京市
  • 6个甘肃省
  • 1个江苏省
  • 1个重庆市
共 68 条 记 录，以下是 1-10
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
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曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 半导体激光器 真空系统 衬底 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘胜北
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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