2024年12月25日
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刘兴昉
作品数:
126
被引量:54
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
化学工程
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合作作者
孙国胜
中国科学院半导体研究所
王雷
中国科学院半导体研究所
赵万顺
中国科学院半导体研究所
曾一平
中国科学院半导体研究所
闫果果
中国科学院半导体研究所
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2004
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126
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提高碳化硅少子寿命的方法
一种提高碳化硅少子寿命的方法,该方法包括将碳化硅外延层在氧气中升温氧化;保持温度不变,将得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化;将得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层;将得到的碳化硅在惰性...
闫果果
刘兴昉
申占伟
赵万顺
王雷
孙国胜
曾一平
文献传递
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,包括:一主腔室,为一圆柱形的中空体,用于提供晶体生长的真空环境,该主腔室的径向穿过一尾气管路,在尾气管路的下方通入一源气体管路;一可动托盘位于主腔室内,在源气体管路的上方;一固定...
刘兴昉
郑柳
董林
闫果果
王雷
赵万顺
孙国胜
曾一平
李晋闽
文献传递
电化学刻蚀装置及其刻蚀方法
本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中,该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片,以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域;在电化学刻蚀过程中,夹具结构设置在容...
赵思齐
刘兴昉
闫果果
王雷
赵万顺
孙国胜
曾一平
碳化硅半导体技术及产业发展现状
被引量:11
2015年
碳化硅半导体(这里指4H-SiC)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与GaN晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新一代发光二极管(LED)衬底材料、大功率电力电子材料。
刘兴昉
陈宇
关键词:
碳化硅半导体
半导体技术
宽禁带半导体
晶格失配
衬底材料
电子材料
一种多片碳化硅半导体材料制造装置
本发明公开了一种半导体材料生长制造装置,包括:主腔室,进气系统,石墨托,感应加热线圈,旋转系统和排气系统;所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体;所述石墨托用于放置衬底材料,位于所述进气系统下方;所述感应加热...
闫果果
孙国胜
刘兴昉
张峰
王雷
赵万顺
曾一平
文献传递
台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、#2、#3和#4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层...
刘兴昉
曾一平
孙国胜
李晋闽
赵永梅
宁瑾
王雷
赵万顺
罗木昌
李家业
关键词:
4H-SIC
紫外探测器
文献传递
变温平台及DLTS测试系统
本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统,变温平台包括:水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂;水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口;加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构,第一...
赵万顺
闫果果
刘兴昉
张峰
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
本发明一种用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)取一衬底;2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀;3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一碳化层,此碳化层作为衬底和3...
刘兴昉
孙国胜
李晋闽
赵永梅
王雷
赵万顺
李家业
曾一平
文献传递
硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长
本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量...
李家业
赵永梅
刘兴昉
孙国胜
王雷
赵万顺
罗木昌
曾一平
李晋闽
关键词:
X射线衍射
碳化硅
文献传递
由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一绝缘衬底;步骤2:采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理,用于去除表面划痕等缺陷,将表面刻蚀平整;步骤3:对绝缘衬底进行高温氮...
刘兴昉
孙国胜
李晋闽
赵永梅
王雷
赵万顺
王亮
纪刚
杨挺
曾一平
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