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张延召

作品数：4 被引量：1H指数：1
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合作作者

领域

  • 14个电子电信
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主题

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机构

  • 14个北京大学
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  • 2个中国科学院
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  • 1个吉林大学
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资助

  • 14个国家自然科学...
  • 13个国家重点基础...
  • 11个国家高技术研...
  • 7个北京市科技计...
  • 7个全球变化研究...
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  • 5个国家杰出青年...
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传媒

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  • 11个Journa...
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  • 4个电子显微学报
  • 3个北京大学学报...

地区

  • 14个北京市
共 14 条 记 录，以下是 1-10
桑立雯
供职机构：北京大学
研究主题：单芯片 欧姆接触 白光发光二极管 白光LED 光电转化效率
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杨子文
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN P型GAN P-GAN 超晶格 AL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦志新
供职机构：北京大学
研究主题：位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于涛
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 超晶格 AL XGA 极化效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟华
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 氮化物 干法刻蚀 峰值波长
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杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓敏
供职机构：北京大学
研究主题：超晶格 GAN AL XGA 极化效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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