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卢金雄

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：宝钢金属有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 3篇倒装焊
  • 3篇芯片
  • 3篇芯片结构
  • 3篇基板
  • 3篇键合
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇导电
  • 2篇热沉
  • 2篇功率
  • 2篇层膜
  • 2篇大功率
  • 1篇虚焊
  • 1篇荧光粉
  • 1篇余辉
  • 1篇照明
  • 1篇阵列
  • 1篇散热
  • 1篇散热结构
  • 1篇散热性

机构

  • 6篇宝钢金属有限...

作者

  • 6篇曹清
  • 6篇陈阿平
  • 6篇胡勇
  • 6篇吴维群
  • 6篇贾砚林
  • 6篇卢金雄
  • 3篇熊峰

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种解决AC-LED频闪的方法
一种解决AC-LED频闪的方法，AC-LED主要由若干单颗LED组成一个阵列，并直接连接交流电源或通过一整流电路连接至交流电源；在LED封装时涂一层长余辉荧光粉，长余辉荧光粉具有储能作用；当激发光停止或激发光变暗时，长余...
吴维群贾砚林于得鲁曹清卢金雄陈阿平熊峰胡勇
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一种大功率阵列LED芯片表面散热结构及制作方法
一种大功率阵列LED芯片表面散热结构及其制作方法，在阵列LED芯片发光单元之间的隔离槽内自下向上依次沉积有一层氮化铝、一层铜，形成栅格状金属层，即在芯片发光单元之间形成将芯片发光单元产生的热量引出的热沉通道。本发明可以有...
吴维群贾砚林于得鲁陈阿平熊峰曹清卢金雄胡勇
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一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层结构
一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层结构，该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有Cr、...
吴维群贾砚林胡勇陈阿平慎邦威曹清卢金雄
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一种大功率阵列LED芯片表面散热结构及制作方法
一种大功率阵列LED芯片表面散热结构及其制作方法，在阵列LED芯片发光单元之间的隔离槽内自下向上依次沉积有一层氮化铝、一层铜，形成栅格状金属层，即在芯片发光单元之间形成将芯片发光单元产生的热量引出的热沉通道。本发明可以有...
吴维群贾砚林于得鲁陈阿平熊峰曹清卢金雄胡勇
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一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法
一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法，该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有...
吴维群贾砚林慎邦威曹清卢金雄陈阿平胡勇
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一种用于AC‑LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法
一种用于AC‑LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法，该金属层包括与AC‑LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区；上下导电区域的宽度不小于50微米；上下导电区域上蒸镀有...
吴维群贾砚林慎邦威曹清卢金雄陈阿平胡勇
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