刘建功
- 作品数：3 被引量：16H指数：3
- 供职机构：西北工业大学材料学院超高温结构复合材料国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- C/C-SiC复合材料的制备及其层间剪切强度分析被引量：9
- 2012年
- 采用先驱体浸渍裂解结合液硅渗透的方法制备C/C-SiC复合材料。通过X射线衍射和扫描电镜分析了材料的成分和微结构,采用压缩双切口试样法分别在室温和1600℃下测试其层间剪切强度,分析了微观剪切破坏机理。结果表明:碳纤维表面的热解碳(PyC)与液硅反应生成一层SiC,保护纤维不受残余Si的损伤。树脂碳和液硅反应生成的SiC填充了多孔C/C的孔隙。材料的高温层间剪切强度是室温下的2倍左右。室温下基体存在残余热应力,界面结合强度低,材料属于脆性断裂,高温下基体残余热应力得到释放,界面结合强度增大,基体裂纹部分闭合,该复合材料可承受更大的剪切应力。
- 曹晓雨张程煜殷小玮刘建功
- 关键词：C/C-SIC剪切强度
- 液硅渗透法制备Si-B-C改性C/C-SiC复合材料被引量：4
- 2012年
- 为了降低液硅渗透法制备C/C-SiC复合材料中残留Si的含量,采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12(C,Si,B)3改性C/C-SiC复合材料。通过分析不同比例B4C-Si体系在不同温度的反应产物,确定了B12(C,Si,B)3的生成条件。结果表明:B4C和Si在1300℃开始反应,生成少量B12(C,Si,B)3和SiC,且B12(C,Si,B)3的生成量随反应温度的升高而增加;当B4C和Si的摩尔比为3∶1、反应温度为1500℃时,产物为B12(C,Si,B)3和SiC;液硅渗透法制备的C/C-SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12(C,Si,B)3,未见残留Si。
- 刘建功殷小玮成来飞张立同王琴
- 关键词：复合材料
- 孔隙率对三维针刺C／C复合材料电磁屏蔽性能的影响被引量：3
- 2012年
- 通过多次重复先驱体浸渍裂解(PIP)工艺过程,改变材料的孔隙率和体密度,制备不同孔隙率的三维针刺碳/碳(C/C)复合材料,并研究了在8.2～12.4GHz频率范围内(X波段)不同孔隙率C/C复合材料的电磁屏蔽效能。结果表明:适当降低孔隙率有利于提高C/C复合材料的总电磁屏蔽效能和电磁吸收屏蔽效能,当开气孔率为33.4%时,C/C复合材料具有最大的电磁屏蔽效能(40dB),且电磁吸收屏蔽效能(30dB)远大于电磁反射屏蔽效能(12dB),是极具潜力的高吸收低反射电磁屏蔽材料。
- 邵春艳殷小玮张立同成来飞刘建功
- 关键词：C/C复合材料PIP工艺孔隙率电磁屏蔽性能
