周玉鉴
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 电子倍增型GaAs光阴极实验研究
- 2013年
- 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
- 胡仓陆郭晖焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲
- 关键词：砷化镓光阴极负电子亲和势
- 一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
- 2010年
- 通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该方法得到的半导体层厚度误差<9%,满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。
- 成伟胡仓陆周玉鉴徐晓兵
- 关键词：分光光度计砷化镓
