胡仓陆
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
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- 射频等离子体法制备类金刚石薄膜
- 用射频等离子体他学气相沉积法,以丁烷、氢气和氩气的混合气体为原料,在φ200mm锗基片上沉积出了均匀的金刚石薄膜。研究了类金刚石薄膜的特性及工艺参数对其性能的影响规律,给出该膜应用于红外装置元件的光谱性能。关键词类金刚石...
- 张万虎谭宇师建涛刘永强胡仓陆黄祥成
- 文献传递
- 电子倍增型GaAs光阴极实验研究
- 2013年
- 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
- 胡仓陆郭晖焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲
- 关键词：砷化镓光阴极负电子亲和势
- GaAs光电阴极材料Zn掺杂工艺研究
- 该文通过分析国外GaAs光电阴极设计思想和材料的结构参数,设计了MOVCD生长GaAs光电阴极材料的工艺参数,研究了GaAs光电阴极材料Zn掺杂的影响因素,计算了GaAs光电阴极材料生长条件下Zn的分配系数,对工艺结果进...
- 胡仓陆
- 关键词：GAAS光电阴极
- 文献传递
- GaAs与玻璃窗口热压粘接工艺设计被引量：2
- 2000年
- 冯驰向世明高景华李介民徐江涛李周奎胡仓陆
- 关键词：砷化镓微光像增强器
- 射频等离子体法制备类金刚石薄膜被引量：4
- 2003年
- 利用射频等离子体化学气相沉积法,以丁烷、氢气和氩气的混合气体为原料,在Φ200mm锗基片上沉积出均匀的类金刚石薄膜。研究类金刚石薄膜的特性及工艺参数对其性能的影响规律,给出应用于红外装置中的类金刚石薄膜镀膜元件光谱性能。
- 张万虎谭宇师建涛刘永强胡仓陆
- 关键词：类金刚石薄膜射频等离子体功率密度
- 透射式GaAs光阴极的静电键合粘结被引量：1
- 2008年
- 提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法．相比于传统的热粘结方法，该方法温度低（350℃），时间短（5min），在空气中进行．所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68．8mA／w（峰值波长为830nm）．以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1311uA／lm，优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度（～1200uA／lm）．
- 高斐郭晖胡仓陆向世明石峰彭岔霞冯驰徐晓兵
- 关键词：微光像增强器灵敏度
- 一种无损测量多层半导体材料厚度的新方法
- 2010年
- 通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手,提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理,将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算,从而可直接得出多层半导体材料厚度,使用该方法得到的半导体层厚度误差<9%,满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。
- 成伟胡仓陆周玉鉴徐晓兵
- 关键词：分光光度计砷化镓
- 用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响
- 2012年
- 用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响。从X射线倒易空间衍射(RSM)二维图谱结果来看,具有GaInAs组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与GaInAs组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06%,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1As外延层之间的偏移夹角明显变小。
- 焦岗成刘正堂石峰徐晓兵胡仓陆
- 关键词：X射线衍射晶格失配GAINAS
