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庞凯
作品数:
11
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
陈智斌
西安电子科技大学
郝跃
西安电子科技大学
宁静
西安电子科技大学
林志宇
西安电子科技大学
许晟瑞
西安电子科技大学
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硫化钼
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六方氮化硼
2篇
脉冲激光
2篇
脉冲激光淀积
2篇
激光淀积
2篇
二硫化钼
2篇
磷
1篇
异质结
机构
11篇
西安电子科技...
作者
11篇
庞凯
10篇
张进成
10篇
许晟瑞
10篇
林志宇
10篇
宁静
10篇
郝跃
10篇
陈智斌
6篇
张金风
4篇
张金
年份
1篇
2019
4篇
2018
1篇
2017
5篇
2016
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11
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基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长六方氮化硼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝成核层;(3)热处理;(4)生长氮化铝过渡层;(5)生长低V‑Ш比...
张进成
庞凯
陈智斌
吕佳骐
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金
郝跃
文献传递
基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长六方氮化硼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比...
张进成
庞凯
陈智斌
吕佳骐
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金
郝跃
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长二硫化钼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成
庞凯
陈智斌
吕佳骐
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金风
郝跃
文献传递
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)制备黑磷过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比氮化镓层;(...
张进成
朱家铎
陈智斌
庞凯
吕佳骐
许晟瑞
林志宇
宁静
张金
郝跃
文献传递
In(Al)GaN异质结材料及器件特性研究
近年来,AlGaN/GaN HEMTs(异质结高电子迁移率晶体管)成为GaN基电子器件中研究的热点之一。在本文中,我们采用 InGaN作为沟道层,得到了高输出电流密度,跨导特性优异,高温下稳定性强的AlGaN/InGaN...
庞凯
关键词:
芯片设计
异质结材料
基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低...
张进成
吕佳骐
陈智斌
庞凯
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金风
郝跃
文献传递
基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)制备二硫化锡过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比氮化...
张进成
陈智斌
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吕佳骐
朱家铎
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基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)制备黑磷过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比氮化镓层;(...
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基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长二硫化钼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V‑Ш比氮化...
张进成
庞凯
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吕佳骐
朱家铎
许晟瑞
林志宇
宁静
张金风
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基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低...
张进成
吕佳骐
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