徐峰
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学更多>>
- 溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析
- 2015年
- 近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数（高k）材料（HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc）代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率[1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数（-2）,
- 徐峰刘奥刘国侠单福凯
- 关键词：Y2O3溶液法高介电常数
