刘奥
- 作品数：31 被引量：1H指数：1
- 供职机构：青岛大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
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- 低温溶液法In2O3薄膜晶体管的制备
- 目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件的要求.制备的TFT器件饱和迁移率为3...
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- 关键词：薄膜晶体管氧化铟性能参数
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- 一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
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- 一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法
- 本发明公开了一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法，首先制备CuO和NiO前驱体溶液；清洗带有SiO<Sub>2</Sub>薄膜层的衬底采用常规的旋涂技术旋涂前驱体溶液，经过旋涂、烘焙、固化、退火得到CuO和Ni...
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- 一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄...
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- 一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法；先将硝酸钪溶于去离子水中并搅拌形成前驱体溶液后旋凃于清洗过的低阻硅衬底表面，旋涂厚度5-10nm，再将旋涂产生的薄膜烘焙和退火得到...
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- 一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
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- 一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
- 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
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- 一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法,将P型硅基片和氧化铝陶瓷靶材放入现有的脉冲激光烧蚀设备中对氧化铝陶瓷靶材进行脉冲激光烧蚀，在P型硅基片上沉积形成氧化铝陶瓷靶材薄膜样品；...
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- 退火温度对氧化铝薄膜性质的影响被引量：1
- 2015年
- 随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料（高k材料）可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,
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- 关键词：溶胶-凝胶氧化铝
