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方鸣
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中国振华电子集团有限公司
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
王兴伟
中国振华电子集团有限公司
李玮
电子科技大学
张选红
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马建华
中国振华电子集团有限公司
杨邦朝
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作者
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石维
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杨邦朝
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马建华
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张选红
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方鸣
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李玮
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王兴伟
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2013
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电化学Ta_2O_5薄膜漏电流机理的研究进展
2013年
介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。
石维
杨邦朝
张选红
方鸣
马建华
李玮
王兴伟
关键词:
钽电解电容器
漏电流
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