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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇锑化铟
  • 2篇焦平面
  • 2篇INSB
  • 1篇低温胶
  • 1篇电路
  • 1篇读出电路
  • 1篇探测器
  • 1篇探测器芯片
  • 1篇铟柱
  • 1篇面阵
  • 1篇磨料
  • 1篇抗反射
  • 1篇抗反射膜
  • 1篇焦平面器件
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇红外
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇红外焦平面阵...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 3篇中国航空工业...

作者

  • 3篇李明华
  • 1篇成彩晶
  • 1篇吴伟
  • 1篇郑克霖
  • 1篇张向锋
  • 1篇王海珍
  • 1篇向军荣
  • 1篇张磊
  • 1篇耿东锋
  • 1篇曹光明

传媒

  • 2篇红外技术

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片及其制造方法
一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片,其包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11]。其中,所述锑化铟光敏阵列[8]背面设置有减反膜[6],其正面设置有铟柱[10...
成彩晶吴伟付月秋曹光明张向锋李明华
InSb焦平面器件表面末处理技术研究被引量:1
2011年
InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能。
耿东锋王海珍李明华郑克霖
关键词:焦平面器件抗反射膜
InSb半导体材料抛光研磨技术研究
2009年
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用机械抛光技术对InSb进行表面加工,分析了研磨液磨料浓度对InSb表面状况及去除率的影响,实验得到了优化研磨液配比参数,在此参数下,获得了良好的研磨表面。
向军荣李明华张磊
关键词:锑化铟磨料
共1页<1>
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