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王文斌

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单片集成
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇预失真
  • 2篇放大器
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇射频
  • 1篇射频放大器
  • 1篇线性化
  • 1篇集成电路
  • 1篇交调
  • 1篇交调失真
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇K波段

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇陶洪琪
  • 2篇张斌
  • 2篇王文斌
  • 1篇张奇

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
K波段预失真电路设计
2015年
提出了一种基于单片集成电路的K波段预失真电路设计,采用GaAs 0.15μm HEMT工艺流片。该电路将主路信号与失真信号分离,利用并联分布的功放作为非线性产生器件,增大了两个功放输入功率差,具有较好的幅度和相位特性,芯片尺寸仅1.9mm×3.0mm。测试结果显示,在21GHz处,该预失真芯片可提供3dB增益扩张和20°相位压缩。级联功放后,在三阶交调抑制为-30dBc的条件下,功率放大器的输出功率从14dBm提高至17.5dBm。
王文斌陶洪琪张斌
关键词:线性化预失真功率放大器单片集成电路
一种新型有源预失真单片集成电路设计被引量:2
2014年
提出了一种适用于单片微波集成电路(MMIC)的有源预失真电路结构,给出了预失真单片电路的数学模型用来对设计参数进行优化选择,对要进行线性优化的功率放大器采用非线性方程来描述。基于这种电路结构和数学模型,设计了一款工作于19.6~21.2GHz的预失真单片电路。芯片采用GaAs0.15μm技术,测试结果显示:在加入有源预失真单片电路后,功率放大器(P-1为22dBm)在单音输出功率为16dBm时的三阶交调系数和五阶交调系数为-49dBc和-58dBc,分别改善了24dBc和15dBc,进一步验证了这种新型电路结构的可行性。
张奇王文斌陶洪琪张斌
关键词:交调失真预失真射频放大器
共1页<1>
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