您的位置： 专家智库 > >

陈强

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：瑞典皇家工学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇漂移区
  • 1篇耐压
  • 1篇击穿电压
  • 1篇沟槽隔离
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇瑞典皇家工学...

作者

  • 1篇胡善文
  • 1篇陈文兰
  • 1篇高怀
  • 1篇孙晓红
  • 1篇陈强

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量：1
2011年
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.
陈文兰孙晓红胡善文陈强高怀
关键词：LDMOS漂移区击穿电压
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0