陈文兰
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计被引量：1
- 2010年
- 为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明,所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下,能有效减小LDMOS器件寄生电容,提升器件增益、效率及线性度等射频性能。
- 陈文兰
- 关键词：场极板寄生电容射频性能
- 阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量：1
- 2011年
- 提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.
- 陈文兰孙晓红胡善文陈强高怀
- 关键词：LDMOS漂移区击穿电压
- 一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
- 本文基于AWSC公司2μmInGaP/GaAs HBT晶体管工艺，提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源，解决了现有技术利用大电感（1000nH以上）做为恒流源而导致电路无法全集成及电感...
- 卞新海陈文兰王京王寅生章德高怀
- 关键词：混沌电路电路设计数学模型
- 一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
- 2012年
- 本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真和测试结果表明,当最高基本频率同为1.20GHz时,全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%,达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。
- 卞新海陈文兰王京王寅生高怀
- 关键词：混沌砷化镓基本频率
