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陈小松

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：华中师范大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 2篇CU
  • 1篇电学性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数

机构

  • 2篇华中师范大学

作者

  • 2篇黄致新
  • 2篇杨磊
  • 2篇尹玉丽
  • 2篇陈小松
  • 2篇吴绍彬
  • 2篇张昌印

传媒

  • 2篇信息记录材料

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ni掺杂对Cu_3N薄膜结构与性能的影响被引量：2
2010年
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.cm减小到184×10-6Ω.cm,光学能隙从1.09eV增加到1.52eV。
陈小松尹玉丽张昌印吴绍彬杨磊黄致新
关键词：电学性能
Cu_3N薄膜制备及其性能研究被引量：1
2010年
Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工艺参数之间关系,本文采用反应射频磁控溅射法,在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜,并研究了工艺参数对其晶面取向、膜厚、电学性能、沉积速率的影响。
张昌印陈小松尹玉丽吴绍彬杨磊黄致新
关键词：工艺参数
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