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刘应军

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：太原理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇势阱
  • 1篇应变量
  • 1篇有源层
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒层
  • 1篇阈值电流
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇激光器结构
  • 1篇高线性
  • 1篇边模抑制比
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波导

机构

  • 4篇太原理工大学

作者

  • 4篇李灯熬
  • 4篇贾华宇
  • 4篇刘应军
  • 3篇罗飚
  • 2篇赵霞飞
  • 1篇汤宝

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种大功率直调激光器
本发明涉及半导体激光器领域，具体是一种大功率直调激光器。一种大功率直调激光器，该激光器从下到上依次为：N‑InP衬底、N‑InP缓冲层、Al<Sub>0.24</Sub>Ga<Sub>0.23</Sub>In<Sub>0...
贾华宇赵霞飞李灯熬罗飚刘应军
文献传递
InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化分析
为了优化适用于光纤通信和CATV 系统需求的高性能的量子阱激光器，对波长在1.55 微米左右的InGaAsP/InP 量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析.本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子...
赵霞飞贾华宇李灯熬罗飚刘应军
一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法
本发明涉及量子阱激光器技术领域，具体是一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法。在量子阱激光器其它条件不变的情况下调整势阱层的材料组份为Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>In<Sub>1‑x‑yA...
贾华宇朱天雄李灯熬汤宝刘应军
文献传递
1.31μm AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器有源区的研究
为了优化适用于长距离的光纤通信系统采用的1.31μm 的量子阱激光器，对AlGaInAs/InP 材料的应变补偿量子阱结构激光器进行了设计研究.采用该外延材料制作的脊宽为2.5μm 脊形波导结构的FP 激光器芯片，解理为...
朱天雄贾华宇李灯熬罗飚刘应军
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