张震
- 作品数:5 被引量:6H指数:2
- 供职机构:西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>
- 烧结温度对锆钛酸铅-铌镁酸铅压电陶瓷结构的影响被引量:2
- 2010年
- 采用铌铁矿预产物合成法在不同烧结温度下制备组成在准同型相界附近的锆钛酸铅-铌镁酸铅压电陶瓷.采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜以及介电温谱对制备陶瓷样品进行表征分析和性能测试.结果表明:所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相;随着烧结温度的升高,陶瓷的相结构由菱方-四方两相共存转变为单一菱方相.对陶瓷断口的观察表明:随着烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,陶瓷逐渐致密;陶瓷的平均晶粒尺寸约为3~4 μm.制备的压电陶瓷在1 200 ℃烧结的试样峰值相对介电常数高达19 520,居里温度为310 ℃.
- 张震曹林洪智顺华余洪滔
- 关键词:压电陶瓷相结构介电性能
- 片状Sr_3Ti_2O_7中间体的熔盐法合成被引量:1
- 2009年
- 以SrCO3和TiO2为原料,采用熔盐法合成出片状Sr3Ti2O7中间体。探讨了熔盐种类(NaCl和KCl)、反应温度及反应时间对片状Sr3Ti2O7中间体合成的影响。采用X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析粉体的相组成和显微结构。结果表明:以KCl为熔盐所得中间粉体的相组成为Sr3Ti2O7和Sr3Ti2O4相,SrCO3过量及提高合成温度,对相的组成和相的含量影响不大;而以NaCl为熔盐合成中间粉体的相组成为Sr3Ti2O7、Sr2TiO4和Sr4Ti3O10相,SrCO3过量及提高合成温度,使Sr3Ti2O7的含量增加,而Sr2TiO4的含量明显减少。以NaCl为熔盐,1300℃保温4h的工艺条件所得中间体为长方片状,边长为30-60μm,厚为2~5μm,是外延生长〈001〉SrTiO3片状晶体的理想模板;而以KCl为熔盐,所得中间体也为长方片状,边长为10~20μm,厚为5~10μm。
- 曹林洪吴卫东张震徐卓徐光亮
- 关键词:熔盐法显微结构X-射线衍射
- BaTiO_3改性PZNT91/9晶体的生长工艺研究被引量:1
- 2008年
- 采用底部冷却高温熔剂法(BCSG)成功地生长了BaTiO3改性PZNT91/9晶体,其中最大晶体(J3)尺寸达15mm×13mm,晶体呈浅黄色,箭头形。采用1~1.6L/min的氧气流速能有效引发成核,而且通过康泰尓电阻丝实现点冷,可以有效控制成核数目。XRD分析表明:添加BaTiO3的晶体为纯钙钛矿相,晶体显露面为{001}面,说明添加BaTiO3能有效抑制焦绿石相,促进钙钛矿相的形成。
- 曹林洪张震徐光亮
- 关键词:BATIO晶体形貌X射线衍射
- xPb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3–(1–x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3压电陶瓷的准同型相界与介电性能被引量:2
- 2010年
- 采用铌铁矿预产物合成法制备组成在准同型相界(morphotropic phase boundary,MPB)附近的xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(Zr0.48Ti0.52)O3(PMN-PZT,x=0.125,0.15,0.175,0.2,0.225,0.25,摩尔分数)压电陶瓷。X射线衍射和Raman光谱分析表明:所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相,未探测到其他杂相;随PMN含量的增加,PMN-PZT压电陶瓷的相结构从四方相逐渐向菱方相转变,该体系的MPB组成在x=0.2附近,而且其相结构为四方相与菱方相共存。陶瓷断口的扫描电镜观察表明:陶瓷的晶粒尺寸约1~3μm。陶瓷的介电温谱表明:x=0.2,陶瓷的Curie温度为308.8℃,峰值介电常数约为16380,室温压电常数为351pC/N;陶瓷的Curie温度随PMN含量增加线性下降。
- 张震曹林洪魏贤华余洪滔徐光亮
- 关键词:准同型相界介电性能RAMAN光谱
- Li_2CO_3掺杂对0.2PMN-0.8PZT陶瓷的影响
- 2012年
- 利用铌铁矿预产物合成法,研究不同温度烧结下Li2CO3掺杂对0.2 PMN-0.8PZT压电陶瓷(简称PLC)的相结构和电性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析结果表明,掺杂LiCO3的0.2PMN-0.8PZT压电陶瓷经不同温度煅烧后,所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相,并随着烧结温度的升高,PLC的相结构有由四方相向菱方相转变的趋势。通过0.2PMN-0.8PZT压电陶瓷掺杂LiCO3煅烧后的微观形貌、介电常数、压电性能、铁电性能的分析,发现经1200℃烧结的样品的介电和压电性能最佳:介电常数(εr)为38512,室温压电常数(d33)为300 pC/N,剩余极化强度(Pr)为31.3 C/cm2,矫顽电场(Ec)为7.5 kV/cm。
- 江健张震曹林洪
- 关键词:压电陶瓷相结构压电性能