智顺华
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西南科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- PDP用氧化镁材料的制备及相关机理研究
- MgO具有高熔点、抗溅射、二次电子发射系数高等特点，常用于PDP介质保护膜。本文主要研究了可应用于PDP的MgO材料，主要包括：(1)采用不同生长方法获得MgO晶体的前驱体，经煅烧后制备出了不同形貌的MgO微晶，着重研究...
- 智顺华
- 关键词：水热法等离子显示器氧化镁致密性纳米粉体
- 文献传递
- 烧结温度对锆钛酸铅-铌镁酸铅压电陶瓷结构的影响被引量：2
- 2010年
- 采用铌铁矿预产物合成法在不同烧结温度下制备组成在准同型相界附近的锆钛酸铅-铌镁酸铅压电陶瓷.采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜以及介电温谱对制备陶瓷样品进行表征分析和性能测试.结果表明：所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相;随着烧结温度的升高,陶瓷的相结构由菱方-四方两相共存转变为单一菱方相.对陶瓷断口的观察表明：随着烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,陶瓷逐渐致密;陶瓷的平均晶粒尺寸约为3～4 μm.制备的压电陶瓷在1 200 ℃烧结的试样峰值相对介电常数高达19 520,居里温度为310 ℃.
- 张震曹林洪智顺华余洪滔
- 关键词：压电陶瓷相结构介电性能
- 水热法生长立方MgO微晶研究
- 2012年
- 以尿素与Mg(NO3)2.6H2O在不同的反应温度和不同物质的量配比条件下,制备出前驱体Mg5(OH)2(CO3)4.4H2O/MgCO3,经煅烧得到立方MgO微晶粉末。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得产物的晶相和形貌进行了表征。结果表明:当尿素和Mg(NO3)2.6H2O物质的量的比为2∶1时,在160℃的水热反应条件下,制备出立方MgO前驱体微晶,在1000℃煅烧2 h后能够获得晶型完整、形貌规则、粒径约为5μm的MgO立方微晶。
- 曹林洪智顺华刘敬松
- 关键词：MGO立方相
- 氢氧化镁六方晶体制备方法
- 氢氧化镁六方晶体制备方法，涉及化工技术。本发明包括下述步骤：1)将硝酸镁置于氢氧化钠和氢氧化钾混合物中，氢氧化钠和氢氧化钾的质量比为25％∶75％～48.5％∶51.5％，硝酸镁与氢氧根的摩尔比为1∶262～2∶262；...
- 曹林洪智顺华王宁会
- 氢氧化镁六方晶体制备方法
- 氢氧化镁六方晶体制备方法，涉及化工技术。本发明包括下述步骤：1)将硝酸镁置于氢氧化钠和氢氧化钾混合物中，氢氧化钠和氢氧化钾的质量比为25％∶75％～48.5％∶51.5％，硝酸镁与氢氧根的摩尔比为30∶393～50∶39...
- 曹林洪智顺华王宁会
- 文献传递
- 一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法
- 一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，涉及电子材料。本发明包括下述步骤：A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体；B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯；C...
- 曹林洪智顺华王宁会
- 氧化镁陶瓷的烧结工艺研究被引量：8
- 2010年
- 以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷。TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm。MgO陶瓷最佳烧结温度为1500℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好。随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200)晶面择优生长的趋势。
- 智顺华曹林洪王超李海燕王宁会
- 关键词：烧结温度均相沉淀法
- 水热法生长Mg(OH)_2晶体研究
- 2012年
- 以MgCl2.6H2O、NH3.H2O为原料,水作为水热介质,乙二醇作为表面活性剂,研究了在不同温度条件及表面活性剂用量对水热法生长Mg(OH)2晶体的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得氢氧化镁颗粒的晶相和形貌进行了表征。实验结果表明,增加乙二醇的用量,有助于获得结晶性和分散性较好的Mg(OH)2晶体。同时,随着生长温度的升高,Mg(OH)2晶体形貌从球状外形的片状晶体向分散的小晶粒过渡。
- 江健郑红英智顺华曹林洪
- 关键词：氢氧化镁水热法乙二醇
- 一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法
- 一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，涉及电子材料。本发明包括下述步骤：A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体；B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯；C...
- 曹林洪智顺华王宁会
- 文献传递
