郑华
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究被引量：2
- 2012年
- 讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。
- 陈金远陶洪琪曹敏华吴振海郑华高建峰张斌
- 关键词：在片测试
- PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术被引量：1
- 2007年
- 近年来,砷化镓器件的发展极为迅速。其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提高GaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸。通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。
- 贾洁郑华耿涛黄念宁
- 关键词：GAASPHEMT欧姆接触
- 砷化镓0.5 μm PHEMT开关标准工艺研究被引量：2
- 2006年
- 采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估。研究数据表明,砷化镓0.5μmPHEMT开关标准工艺PCM成品率达到90%,开发的单片开关和衰减器成品率不低于80%;砷化镓单片开关在最高工作温度85°C、置信度90%下失效率λ小于400Fit,完全满足产品的使用要求。
- 李拂晓郑华郑惟彬林罡吴振海黄庆安
- 关键词：砷化镓开关
