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黄斌

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国兵器工业集团更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇刻蚀
  • 2篇弹性梁
  • 2篇电极
  • 2篇锚点
  • 2篇检测电极
  • 2篇硅衬底
  • 2篇MEMS器件
  • 2篇衬底
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇深刻蚀
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇硅深刻蚀
  • 1篇ICP
  • 1篇垂直度

机构

  • 3篇中国兵器工业...
  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 3篇黄斌
  • 2篇凤瑞
  • 1篇许高斌
  • 1篇展明浩
  • 1篇刘方方

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法
本发明公开了一种防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法，包括顺次相连的下层晶圆结构、可动晶圆结构和上层晶圆结构；所述下层晶圆结构包括相连的硅衬底和绝缘层，所述绝缘层上靠近可动晶圆结构的一侧设有第一锚点和检测电极；所...
凤瑞黄斌包星辰何凯旋商兴莲周铭周六辉
防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法
本发明公开了一种防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法，包括顺次相连的下层晶圆结构、可动晶圆结构和上层晶圆结构；所述下层晶圆结构包括相连的硅衬底和绝缘层，所述绝缘层上靠近可动晶圆结构的一侧设有第一锚点和检测电极；所...
凤瑞黄斌包星辰何凯旋商兴莲周铭周六辉
ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究被引量：4
2015年
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。
刘方方展明浩许高斌黄斌管朋
关键词：工艺参数正交实验
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