许高斌
- 作品数：128 被引量：185H指数：8
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- SOI特种高g值MEMS加速度计设计与分析被引量：15
- 2010年
- 基于SOI技术,利用ICP体硅深加工,设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁-扇形质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效的消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。论文建立了理论模型,并利用ANSYS软件对传感器进行模拟分析与验证,理论与模拟分析结论吻合较好。分析表明,加速度计在X轴向和Y轴向灵敏度分别为1.2μv/g和1.18μv/g;谐振频率分别为479kHz和475kHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。
- 许高斌汪祖民陈兴
- 关键词：加速度计SOI
- 一种用于强磁场测量的平面扭转式微传感器
- 本发明涉及一种用于X、Y方向强磁场测量的平面扭转式微传感器。包括依次连接的基底、传感器本体和封盖，其中传感器本体分为线圈电极锚区、扭转平面、电容电极锚区三部分，其中线圈电极锚区和电容电极锚区分别位于扭转平面中部的Y方向两...
- 许高斌王月媖陈兴马渊明李坤
- 文献传递
- 一种压电式MEMS加速度传感器及其制备方法
- 本发明提供一种压电式MEMS加速度传感器及其制备方法，包括依次连接的盖板、检测结构层和底衬；检测结构层中部设有敏感质量块和L形固支梁，在检测结构层的上、下两面中心位置分别设有上限位柱、下限位柱，并分别与盖板、底衬相适配，...
- 许高斌王超超陈兴马渊明胡海霖
- 一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层；在各层SiO<Sub>2</Sub>绝缘层的中心皆形成一...
- 于永强徐艳宋龙梅夏宇许高斌马渊明陈兴
- 文献传递
- 范德堡多晶硅热导率的测试结构被引量：2
- 2005年
- 在O.M.Paul等研究的范德堡热导率测试结构的基础上,提出了一种改进结构,利用一组测试结构来测得多晶硅薄膜的热导率。在十字型结构中一个含有多晶硅薄膜,而另一个不含有多晶硅薄膜,根据建立的热学模型,可以获取多晶硅薄膜的热导率。用有限元分析软件ANSYS进行了模拟分析,分析表明模拟值与实验值能较好地吻合,且辐射散热是基本可以忽略的,从而验证了模型建立的正确性,说明该方法能够实现对多晶硅薄膜的测量,且具有较高的测试精确度。
- 戚丽娜许高斌黄庆安
- 关键词：热导率多晶硅薄膜十字型
- 一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层；在各层SiO<Sub>2</Sub>绝缘层的中心皆形成有一...
- 于永强毕然程旭徐艳何圣楠卢志坚许高斌
- 表面加工多晶硅薄膜电阻温度系数的在线测试
- 本文提出了一种在线提取多晶硅薄膜电阻温度系数的简单测量方法.给出了瞬态热电分析模型,综合考虑了各种散热因素如对流、辐射以及向衬底传热的影响,通过实验提取出参数.提出的方法对分析其他MEMS器件的热电特性和监控器件设计都具...
- 许高斌汪家文
- 关键词：电阻温度系数多晶硅薄膜
- 文献传递
- 用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法
- 针对现有制备SOI硅片上多孔硅上的不足，本发明提供一种用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法。本发明的双槽装置包括外槽体、内槽体、下层垫圈、上层垫圈、槽体螺栓、螺母、垫圈螺栓；本发明的制备方法包括备片、硅片安...
- 许高斌奚野陈兴马渊明
- RF MEMS开关的发展现状被引量：8
- 2008年
- RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本的器件之一,具有低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点。对各种开关驱动机制的特点进行了比较,指出具体驱动机制的选取应符合实际应用的需求;在和传统pin开关、FET开关相比较的基础上,总结了RF MEMS开关的优缺点,概述了其目前的应用领域以及面临的主要问题;最后介绍了目前国内外RFMEMS开关研究状况。通过对国内外一些经典RF MEMS开关范例的简述,展望了RFMEMS开关未来的发展趋势。
- 严春早许高斌叶刘晓
- 关键词：射频微机电系统开关可靠性
- 碳纳米管场效应晶体管设计与应用被引量：8
- 2010年
- 碳纳米管具有一些独特的电学性质,在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展,新的工艺技术也随之产生。纳米器件的"由下至上"制作工艺,是在纳米技术和纳米材料的基础之上发展起来的,在新工艺基础之上,可以利用纳米管、纳米线的性质制作成各种新的电子器件。由于碳纳米管可以和硅在电子电路中扮演同样的角色,随着基于碳纳米管的纳米电路研究的深入发展,电子学将在真正意义上从微电子时代进入纳电子时代。从分析碳纳米管分立场效应晶体管典型结构特点入手,分析阐述了碳纳米管构建的典型纳米逻辑电路结构特征及碳纳米管在柔性纳米集成电路方面的应用。
- 许高斌陈兴周琪王鹏
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管纳米电子学
