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一种ZrB2粉体的制备方法: 本发明提供了一种ZrB2粉体的制备方法，属于硼化物高温陶瓷粉体制备技术领域。该方法包括以下步骤：以二氧化锆、硼酸及碳粉为原料，氯化钠、硼为反应添加剂，将原料和添加剂混合均匀后在真空条件下加热脱水，对...; 王星明杨磊彭程白雪刘宇阳桂涛; 文献传递

非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备被引量：3: 2019年; 采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As_2GeTe_4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5. 46 g·cm^(-3),达混合理论密度的99. 5%,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.; 潘兴浩储茂友王星明刘宇阳白雪桂涛张朝; 关键词：非晶半导体粉体靶材致密化

一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法: 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB2粉体，再将自蔓延法制备的ZrB<S...; 王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程

一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法: 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB2陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB2粉体，再将自蔓延法制备的ZrB<S...; 王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程; 文献传递

一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法及应用: 本发明提供了一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法及应用，属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤：采用碳热还原反应制备10B富集的ZrB<Su...; 王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友; 文献传递

碳热还原法合成硼化锆粉体影响因素探究: 2018年; 以氧化锆(ZrO_2)、硼酸(H_3BO_3)和碳(C)粉为原料,研究了不同碳粉(活性炭、石墨)与前驱体粒度、温度及保温时间对碳热还原法制备硼化锆(ZrB_2)粉体的影响。通过X射线衍射(XRD)分析合成粉体物相,扫描电镜(SEM)观察合成粉体形貌,并通过化学方法分析了合成粉体中的C、O含量。结果表明:以活性炭为碳源合成的粉体形貌呈条棒状,以石墨为碳源合成的粉体形貌呈规则的块状;合成粉体的粒度随前驱体粒度减小而减小,形貌由规则的块状逐渐转变为圆滑的不规则形貌,合成ZrB_2粉体最小平均粒度约为1. 69μm,产物中C含量随前驱体粒度减小而减少,O含量随前驱体粒度减小而增加,氧含量最低为0. 54wt%;碳热还原法合成ZrB_2粉体在1500℃下是可行的,但直到1900℃碳热还原反应合成ZrB_2才进行完全;碳热还原反应合成ZrB_2粉体最佳的反应条件为1900℃保温30 min。; 桂涛杨磊杨磊刘宇阳白雪王星明王力军; 关键词：硼化锆碳热还原形貌粒度

单一相硼化锆靶材热压烧结深度致密化研究: 对单一相硼化锆靶材进行深度致密化。以氧化锆、硼酸和石墨为原料，以硼(B)粉为添加剂，利用碳热还原法制备硼化锆(ZrB2)粉体，采用热压烧结法对制得粉体进行深度致密化研究。通过X 射线衍射(XRD)分析物相，扫描电镜(SE...; 桂涛杨磊刘宇阳白雪王星明; 关键词：硼化锆碳热还原热压烧结致密化

添加剂对碳热还原反应制备ZrB_2粒径及形貌的影响被引量：2: 2017年; 以ZrO_2,H_3BO_3和C粉为原料,利用碳热还原反应制备ZrB_2粉体。通过X射线衍射(XRD)分析粉体物相、扫描电镜(SEM)观察粉体形貌、能谱(EDS)分析粉体成分,并对粉体进行粒度和比表面积分析,研究了B粉、ZrB_2晶种、NaCl作为添加剂对ZrB_2粉体粒径及形貌的影响。结果表明:添加适量B粉可以提高ZrB_2的生成转化率,同时减小颗粒尺寸,得到细小的ZrB_2颗粒,当B粉添加量为5%时,粉体平均粒径最小,为4.8μm;随着ZrB_2晶种含量的增加,ZrB_2粉体平均粒径增大、比表面积减小,同时颗粒形貌趋于不规则,联接与团聚现象更加严重,当ZrB_2晶种含量达到15%时,粉体平均粒径最大,为7.3μm;在NaCl作用下,ZrB_2颗粒沿某一方向生长明显,颗粒尺寸显著增大,形貌呈长条状,并且随着NaCl含量增加,颗粒生长得更加粗大,当NaCl含量为15%时,粉体平均粒径增大至9.1μm。; 杨磊孙静桂涛刘宇阳白雪王星明; 关键词：添加剂粒径形貌

一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法及应用: 本发明提供了一种10B富集的ZrB2溅射靶材的制备方法及应用，属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤：采用碳热还原反应制备10B富集的ZrB<Su...; 王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友

Ag-B靶材热压制备及致密化过程研究被引量：3: 2016年; 以化学组成Ag∶B=93∶7（质量比）的混合粉体为原料,采用热压烧结制备Ag-B靶材。通过阿基米德法测量靶材密度、扫描电镜（SEM）观察靶材断面形貌、X射线衍射仪（XRD）分析物相、差示扫描量热法（DSC）分析粉体相变,研究了热压工艺对靶材致密度和微观组织的影响,并探讨了Ag-B靶材的致密化过程。结果表明：Ag-B粉体在升温至1000℃过程中,Ag,B之间未形成固溶体或金属间化合物,但B的加入降低了Ag-B粉体的熔化潜热;在450~750℃温度范围内,温度升高靶材相对密度从81.8%增加至95.3%;烧结温度超过750℃后,出现“反致密化现象”,800℃时靶材相对密度下降至89.2%;Ag-B靶材的相对密度随着热压压力、保温保压时间的增加而增加;相比较而言,烧结温度和保温保压时间是Ag-B靶材致密化的主要因素;在烧结温度750℃、保温保压时间120 min、压强28 MPa条件下,Ag-B靶材致密度达到95.3%。; 曹子宇刘宇阳桂涛白雪杨磊王星明; 关键词：热压烧结致密化

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桂涛