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白雪

作品数:34 被引量:37H指数:5
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金科研院所技术开发研究专项资金国家科技部科研院所技术开发研究专项更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程金属学及工艺冶金工程更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 7篇化学工程
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇冶金工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 20篇靶材
  • 18篇热压
  • 8篇碳热还原
  • 8篇热还原
  • 8篇溅射
  • 7篇真空
  • 7篇粉体
  • 6篇热压烧结
  • 5篇真空热压
  • 5篇陶瓷靶材
  • 5篇SUB
  • 4篇致密化
  • 4篇溅射靶材
  • 4篇高强石墨
  • 4篇AZO
  • 3篇形貌
  • 3篇真空热压烧结
  • 3篇碳热还原法
  • 3篇碳热还原反应
  • 3篇热还原法

机构

  • 34篇北京有色金属...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 34篇白雪
  • 31篇王星明
  • 23篇储茂友
  • 20篇刘宇阳
  • 14篇韩沧
  • 14篇段华英
  • 12篇孙静
  • 10篇桂涛
  • 9篇张碧田
  • 9篇杨磊
  • 8篇石志霞
  • 8篇彭程
  • 3篇卢世刚
  • 3篇黄松涛
  • 2篇林阳
  • 2篇陈洋
  • 1篇宋波
  • 1篇李文良
  • 1篇王志刚
  • 1篇王力军

传媒

  • 6篇稀有金属
  • 5篇粉末冶金技术
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料导报
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇Transa...
  • 1篇工程科学学报
  • 1篇北京金属学会...

年份

  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种锡酸镉靶材及其制备方法
本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法,属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>和CdSnO<Sub>3</Sub>,其中Cd<Sub>2</Sub>SnO<Su...
刘宇阳白雪王星明储茂友韩沧张碧田段华英
文献传递
一种CdTe溅射靶材的制备方法
本发明涉及一种CdTe溅射靶材的制备方法,属于太阳能电池材料领域。该方法包括如下步骤:(1)将真空熔炼制备的CdTe块体,破碎研磨成粉,将得到的CdTe粉末装入模具,进行冷压成型;(2)冷压成型后,放置于热压炉内,进行真...
储茂友王星明白雪韩沧张碧田
文献传递
AZO靶材热压致密化过程研究
透明导电薄膜具有高可见光透过率和低电阻率,因此可以作为平面显示器和太阳能平面电极材料,也可用在节能方面,如建筑玻璃表面和汽车玻璃表面。AZO透明导电薄膜的禁带宽度达到3.4ev,本征吸收限为360nm,可减少P,N型掺杂...
白雪
关键词:热压溅射
文献传递
一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用
本发明提供了一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用,属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤:采用碳热还原反应制备<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Su...
王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友
文献传递
透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体
2015年
将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃,850℃,950℃,1050℃,1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd,SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明:750—850℃低温无压烧结时,扩散反应发生缓慢,只有少量的Cd2SnO4生成.大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950~1050℃无压烧结,随着温度升高,扩散反应速率较快,发生大量合成反应生成Cd2SnO4,当SnO2过量时,CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时,Cd:5nO4含量大幅度增加,伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示:随着温度的升高,Cd:SnO4主相含量增加,靶材电阻率逐渐降低至19.9×10^-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律,采用2:1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料,充分混合后在1000℃下煅烧2—3小时,可得到均匀单相亮黄色Cd,SnO4原料粉体。
白雪王星明储茂友张碧田段华英石志霞孙静韩沧
关键词:靶材
碳热还原法合成硼化锆粉体影响因素探究
2018年
以氧化锆(ZrO_2)、硼酸(H_3BO_3)和碳(C)粉为原料,研究了不同碳粉(活性炭、石墨)与前驱体粒度、温度及保温时间对碳热还原法制备硼化锆(ZrB_2)粉体的影响。通过X射线衍射(XRD)分析合成粉体物相,扫描电镜(SEM)观察合成粉体形貌,并通过化学方法分析了合成粉体中的C、O含量。结果表明:以活性炭为碳源合成的粉体形貌呈条棒状,以石墨为碳源合成的粉体形貌呈规则的块状;合成粉体的粒度随前驱体粒度减小而减小,形貌由规则的块状逐渐转变为圆滑的不规则形貌,合成ZrB_2粉体最小平均粒度约为1. 69μm,产物中C含量随前驱体粒度减小而减少,O含量随前驱体粒度减小而增加,氧含量最低为0. 54wt%;碳热还原法合成ZrB_2粉体在1500℃下是可行的,但直到1900℃碳热还原反应合成ZrB_2才进行完全;碳热还原反应合成ZrB_2粉体最佳的反应条件为1900℃保温30 min。
桂涛杨磊杨磊刘宇阳白雪王星明王力军
关键词:硼化锆碳热还原形貌粒度
铜锌锡硫陶瓷靶材及其真空热压制备方法
本发明涉及一种铜锌锡硫陶瓷靶材及其真空热压制备方法,包括将硫化铜、硫化锌、硫化锡粉按照摩尔比2∶1∶1配料,预压制坯;热压炉抽真空至10<Sup>-1</Sup>~10<Sup>-2</Sup>Pa,以5~20℃/min...
储茂友王星明陈洋韩沧张碧田段华英白雪
文献传递
一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法
本发明属于陶瓷靶材制备技术领域,特别涉及一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法。该陶瓷靶材为氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷靶材,Gd<Sub>2</Sub>Zr<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>陶瓷靶材,La<...
王星明刘宇阳彭程储茂友白雪
单一相硼化锆靶材热压烧结深度致密化研究
对单一相硼化锆靶材进行深度致密化。以氧化锆、硼酸和石墨为原料,以硼(B)粉为添加剂,利用碳热还原法制备硼化锆(ZrB2)粉体,采用热压烧结法对制得粉体进行深度致密化研究。通过X 射线衍射(XRD)分析物相,扫描电镜(SE...
桂涛杨磊刘宇阳白雪王星明
关键词:硼化锆碳热还原热压烧结致密化
AZO靶材的制备与镀膜应用研究被引量:5
2011年
以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析薄膜结构,研究靶材密度及孔径分布与薄膜光电性能的关系。结果表明,经过机械合金化和煅烧处理制备的原料粉(m(ZnO)∶m(Al2O3)=98∶2),Al部分扩散进入ZnO晶格中,另一部分由于固溶度的限制形成了ZnAl2O4尖晶石。在相同的溅射条件下,靶材密度越高,薄膜沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小。平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低。在溅射功率密度为3.9W/cm2下,相对密度高于80%的AZO靶材,靶材寿命大于150W.h。相对密度为94.79%的靶材在溅射功率30W下沉积20min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω.cm,平均透过率大于85%,具有(002)择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求。
王星明白雪段华英石志霞孙静卢世刚黄松涛
关键词:热压溅射
共4页<1234>
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