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吴晨

作品数:1 被引量:10H指数:1
供职机构:苏州科技学院数理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇银掺杂
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇光吸收
  • 1篇光吸收特性
  • 1篇CVD
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS2
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇苏州科技学院

作者

  • 1篇马锡英
  • 1篇顾伟霞
  • 1篇吴晨
  • 1篇杨帆
  • 1篇张熠
  • 1篇吴凯

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
银掺杂对MoS_2薄膜特性的影响被引量:10
2014年
二硫化钼(MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维层状化合物,近年来因其独特的物理化学特性而成为研究热点。采用化学气相沉积法(CVD),以掺杂银的MoS2饱和溶液为原料,氩气为输运气体,在p-Si衬底上制备MoS2薄膜,并研究了银掺杂对MoS2薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,银掺杂并未改变MoS2薄膜的晶体结构,而使MoS2薄膜的结晶度更好;银掺杂的MoS2薄膜反射率降低,光吸收增强,进而可以提高器件的光电转换效率。另外,银掺杂的MoS2薄膜表面更均匀平整,同时具有更良好的电学特性,其电子迁移率高达1.154×104 cm2·V-1·s-1,可用于制造一些晶体管和集成电路等半导体器件。
吴晨杨帆张熠吴凯顾伟霞马锡英
关键词:光吸收特性迁移率
共1页<1>
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