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银掺杂对MoS_2薄膜特性的影响被引量：10: 2014年; 二硫化钼(MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维层状化合物,近年来因其独特的物理化学特性而成为研究热点。采用化学气相沉积法(CVD),以掺杂银的MoS2饱和溶液为原料,氩气为输运气体,在p-Si衬底上制备MoS2薄膜,并研究了银掺杂对MoS2薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,银掺杂并未改变MoS2薄膜的晶体结构,而使MoS2薄膜的结晶度更好;银掺杂的MoS2薄膜反射率降低,光吸收增强,进而可以提高器件的光电转换效率。另外,银掺杂的MoS2薄膜表面更均匀平整,同时具有更良好的电学特性,其电子迁移率高达1.154×104 cm2·V-1·s-1,可用于制造一些晶体管和集成电路等半导体器件。; 吴晨杨帆张熠吴凯顾伟霞马锡英; 关键词：光吸收特性迁移率

退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究: 2013年; 本文主要采用化学气相沉积法,以MoS2饱和溶液为原料,利用氩气为输运气体,携带MoS2蒸汽进入反应室,在Si衬底上制备大面积均匀的MoS2超薄薄膜,并分析了不同的退火温度对于薄膜表面形貌、吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,经过850℃退火的二硫化钼薄膜平整,厚度和晶粒尺寸也逐渐均匀。另外,随退火温度升高,MoS2超薄膜反射率降低,可显著提高器件光伏效应和光电转换效率,制备高效率的MoS2/Si异质结太阳能电池。退火还可以改善薄膜的电学特性,经过850℃退火的薄膜,其导电率达到了2.848×10?4,霍尔迁移率高达6.42×102 cm 2V?1s?1,可用于制造超低待机功率的场效应管。通过分析不同退火温度对纳米MoS2薄膜光电特性的影响,得出纳米MoS2薄膜的最佳退火温度为850℃,这促进了MoS2纳米电子器件的发展,推进了MoS2在光电子领域以及信息技术方面的广泛应用。; 林拉陈康烨何杰张国瑞顾伟霞马锡英; 关键词：退火形貌分析电学特性

单层硫化钼的研究进展被引量：2: 2013年; 单层硫化钼(MoS2)是具有直接帯隙1.8 eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,而具有优异的物理和化学性质。简要介绍了MoS2材料的几种主要制备方法:如高温硫化法、水热法以及表面活性剂促助法等,讨论了各种制备方法在国内外的研究现状及优缺点。给出了单层MoS2在晶体管、集成电路、逻辑运算等方面的一些应用。与硅晶体管相比其晶体管体积更小、更省电,并可减少短通道效应,电流开/关比例高于1010。这些应用说明了其可被广泛应用于未来的纳米电子器件。最后,对MoS2未来的发展方向进行了展望,认为工艺制备方法有待进一步改善,单层MoS2的应用领域也有待进一步深入拓展。; 顾伟霞马锡英; 关键词：水热法纳米电子器件

热沉积法制备纳米二硫化钼薄膜及其光电特性研究被引量：7: 2013年; 以MoS2粉末为原料，以氩气为携载气体，在400-600℃温度范围内利用热蒸发方法在硅衬底表面制备了不同厚度的MoS2薄膜．利用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了MoSz薄膜的结构和表面形貌，发现Mos2薄膜由多晶MoS2粒子组成，颗粒均匀，平均纳米颗粒尺寸约为60nm．利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性，发现样品在720nm附近有很强的吸收．应用霍尔效应和伏安法研究了Mos2／Si样品的接触特性和电子的运输特性，发现该异质结具有良好的整流特性，即正向电压下电流随电压呈指数增长，而在反向偏压下漏电流很小，电子迁移率可达到6．730×10^2cm2／（V·s）．实验结果表明MoS2薄膜具有良好的电学特性，可用来制备晶体管和集成电路等器件．; 何杰陈康烨林拉张国瑞顾伟霞马锡英; 关键词：二硫化钼

MoS_2/Si异质结的接触和伏安特性的研究（英文）被引量：5: 2015年; 单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的影响。研究表明:MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。; 顾伟霞马锡英; 关键词：接触特性伏安特性

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顾伟霞