您的位置: 专家智库 > >

吴志强

作品数:12 被引量:44H指数:4
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 10篇单晶
  • 10篇硅单晶
  • 6篇直拉硅
  • 6篇直拉硅单晶
  • 4篇坩埚
  • 3篇单晶炉
  • 3篇热屏
  • 2篇大直径
  • 2篇石墨坩埚
  • 2篇晶体
  • 2篇挥发物
  • 1篇单晶硅
  • 1篇倒角
  • 1篇倒影
  • 1篇等径
  • 1篇熔体
  • 1篇数值模拟
  • 1篇能耗
  • 1篇拼装
  • 1篇圈套

机构

  • 12篇北京有色金属...

作者

  • 12篇吴志强
  • 4篇方锋
  • 4篇常青
  • 4篇张果虎
  • 3篇周旗钢
  • 3篇秦福
  • 2篇郝玉清
  • 2篇戴小林
  • 1篇万关良
  • 1篇屠海令
  • 1篇王学锋
  • 1篇王敬
  • 1篇翟立君
  • 1篇朱秦发
  • 1篇邓树军
  • 1篇刘冰
  • 1篇姜舰
  • 1篇高宇

传媒

  • 5篇稀有金属
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
300mm硅单晶的生长技术被引量:18
2001年
讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 。
张果虎吴志强方锋秦福常青周旗钢屠海令
关键词:硅单晶热屏磁体
Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量:1
1997年
Φ125mm硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福(北京有色金属研究总院,北京100088)关键词:硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构1引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求,需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...
张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福
关键词:坩埚单晶硅单晶炉
大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟被引量:14
2004年
数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟 ,通过对3 0 0mm单晶炉内热场的数值模拟计算 ,得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。
王学锋翟立君周旗钢王敬戴小林吴志强
关键词:直拉硅单晶数值模拟
Φ200mm硅单晶的生长工艺特点被引量:6
1998年
在全自动拉晶条件下,讨论了拉制Φ200mm硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。
张果虎常青方锋吴志强周旗钢
关键词:硅单晶半导体
Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
1998年
为控制氧径向均匀性,选择Φ350mm热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性,但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福
关键词:硅单晶
大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化被引量:4
2010年
随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义。以等径阶段PID参数设置为研究对象,采用晶体生长的实验方法研究了不同PID参数控制对晶体生长的影响,分析了不同参数的作用,最终获得了大直径CZ硅等径生长的优化PID控制参数。实验选用TDR-150型单晶炉,Φ700 mm热场系统,一次性投入200 kg多晶硅,拉制目标直径400 mm的大直径硅单晶。从实验中可以分别得到4条晶体生长等径过程中直径波动曲线以及4张等径过程中实际拉速及晶体生长速率波动图。通过对比分析,实验确认了PID 3个参数(P值比例增益,D值微分,I值积分)的合理取值范围及其作用效果:应使P值在系统具备较高灵敏度和稳定控制的平衡点;使D部分在系统频率特性的中频段,以改善系统的动态性能;而使I值在系统频率特性的较低频段,以提高系统的稳态性能,同时又能够作用于长期控制。
姜舰邓树军戴小林吴志强朱秦发刘冰
关键词:大直径PID参数
一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
本实用新型提供一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体。该主发热体由石墨制成,它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长制备中,用于供给维持热场用的热量。本主发热体呈波浪状,在波浪转弯处的外壁做成直边倒角,直边与发...
吴志强戴小林王学锋姜舰
文献传递
热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析被引量:5
2010年
结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料。使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果。改进热场结构:减小加热器与石墨坩埚的间距或减小加热器与保温层的间距都能有效降低直拉硅单晶生长能耗。分析了温场中其他热量的损失,提出了包括减少热场部件与炉体直连,选用低热导率的保温材料的方法可以有效降低能耗。
邓树军高宇姜舰戴小林吴志强刘冰
关键词:硅单晶能耗
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉,所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法;所述的单晶炉包括:石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏,其特征在于:在金属筒筒体的上部连接一...
吴志强戴小林任雨昆姜舰周旗钢张果虎
文献传递
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉,所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法;所述的单晶炉包括:石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏,其特征在于:在金属筒筒体的上部连接一...
吴志强戴小林任雨昆姜舰周旗钢张果虎
文献传递
共2页<12>
聚类工具0