张国宾
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 强磁场对典型电子器件影响机理的研究
- 卫星普遍使用磁力矩器进行姿态、导航、运行等控制。磁力矩器在卫星局部产生高达0.035T的磁场,卫星上控制设备大部分由半导体元器件为主的电路单元构成,并且长时间工作在磁场下,因此必须考虑该磁场对卫星上一些敏感元件和设备的影...
- 张国宾
- 关键词：电子器件典型电路磁敏器件I-V特性磁屏蔽
- 文献传递
- 9位100MSPS流水线结构A/D转换器的设计
- 2010年
- 提出一种采用三级流水线型结构的9位100 MSPS折叠式A/D转换器,具体分析了其内部结构。电路使用0.6μm Bipolar工艺实现,由5 V/3.3 V双电源供电,经优化设计后,实现了9位精度,100 MSPS的转换速度,功耗为650 mW,差分输入范围2.2 V。给出了在Cadence Spectre的仿真结果,讨论了流水线A/D转换器设计的关键问题。
- 申开盛刘肃车红瑞锁雅芹张国宾
- 关键词：A/D转换器采样保持电路CADENCE
- 恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析
- 2010年
- 在恒磁场为0～2 T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试。结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显。磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化。依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟。
- 张国宾申开盛王朝林易忠孟立飞刘肃
- 关键词：磁场二极管I-V特性
