- Si基JBS整流二极管的设计与制备被引量：6
- 2012年
- 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。
- 王朝林王一帆岳红菊刘肃
- 关键词：I-V特性场限环
- 300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备被引量：2
- 2011年
- 为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 V以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10 A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下。
- 王一帆王朝林刘肃何少博
- 关键词：肖特基二极管场限环
- 恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析
- 2010年
- 在恒磁场为0～2 T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试。结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显。磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化。依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟。
- 张国宾申开盛王朝林易忠孟立飞刘肃
- 关键词：磁场二极管I-V特性
- 近场无线通信技术在应用电子产品中的实验研究
- 社会信息化的快速发展,使得无线通信技术得到了广泛应用。无线通信系统无需布线,还能方便地进行系统搭建和更新,不但大大降低了成本,还具有很高的灵活性。同时,随着对无线通信技术的发展,无线数据传输速率也能与有线数据传输速率相媲...
- 王朝林
- 关键词：调制解调天线设计HFSS温度采集
- 文献传递
