黄丽
- 作品数：10 被引量：15H指数：3
- 供职机构：运城学院物理与电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省高等学校科技创新项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 中子辐照SiC及其退火行为的光致发光特性研究被引量：1
- 2017年
- 利用荧光光谱对剂量为1.72×10^(19)n/cm^2的中子辐照掺氮6H-Si C晶体的发光特性进行了研究。结果表明:中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的施主-受主对遭到破坏,引起对应的560nm发光峰消失;同时辐照缺陷引起的晶格应力使417nm和438nm附近发光峰发生轻微的蓝移现象。对辐照样品进行800℃和1600℃的等时退火后,发现低温800℃退火并未引起辐照损伤的明显恢复;经1600℃退火处理后,560nm发光峰明显升高,而417nm和438nm发光峰显著降低几乎趋于零,说明高温退火导致晶格损伤完全恢复,甚至使晶体中的固有缺陷也得到一定程度的恢复。
- 黄丽阮永丰
- 关键词：6H-SIC中子辐照光致发光
- 周期驱动谐振子的一种非厄米哈密顿和经典-量子对应
- 2024年
- 本文构造一非幺正厄米变换算符和广义规范变换,定义了非厄米哈密顿算符双正交基矢的度规算符,证明了周期驱动谐振子的一种非厄米哈密顿是赝厄米哈密顿算符;从双含时薛定谔方程出发将其厄米化,从而得到其解析量子波函数;基于经典正则变换,得到非厄米哈密顿的经典对应;将系统演化一个周期,得到量子LR相和经典角变化率,以及它们之间的对应关系.本文通过对周期驱动谐振子非厄米哈密顿的分析,得出结论:哈密顿算符的厄米性是其有实数本征值的充分,但非必要条件,非厄米哈密顿算符都可以通过构造一非幺正的厄米变换算符和广义规范变换得到其厄米对应,此结论为研究非厄米系统提供了一种新思路.
- 辛俊丽马紫微马紫微
- 高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性被引量：5
- 2012年
- 在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重的损伤,使其内部产生了大量的缺陷,在某些被测晶面甚至出现非晶化。通过等时退火,缺陷逐渐消失,晶格开始恢复,其恢复特性由退火温度决定。通过X射线衍射峰的峰高和峰型发现,在温度低于600℃时,辐照损伤几乎不变,超过600℃后,温度越高,晶格恢复现象越明显。原来经辐照呈非晶化的晶面逐渐恢复有序,(006)面衍射峰的半高宽随退火温度的升高呈线性恢复。利用此种线性规律可以制作无线传感器,从而实现对某些复杂环境的温场测试。
- 祝威阮永丰陈敬马鹏飞王鹏飞黄丽
- 关键词：6H-SIC中子辐照X射线衍射
- 中子辐照α-Al_2O_3单晶的光学性质研究
- 2012年
- 本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究。吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F22+和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失。光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F22+色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰。625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心。657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO)。此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽。
- 祝威黄丽陈敬侯贝贝王鹏飞阮永丰
- 关键词：AL2O3中子辐照色心光学性质
- Zn_(1-x)In_xO粉末样品的制备及表征
- 2012年
- 采用固相反应法制备了Zn1-xInxO粉料。通过X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)对粉体的结构和光学性能进行了表征。结果表明,当In掺杂量x=0.015(质量比),退火温度为600℃时,In3+可以很好的取代Zn2+的位置;通过FT-IR发现样品在1 140.00 cm-1附近出现了一个新的吸收带,表现出良好的红外吸收特性。
- 吕宝华李玉珍黄丽
- 关键词：氧化锌红外吸收固相反应法
- 中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测被引量：5
- 2012年
- 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。
- 阮永丰黄丽王鹏飞马鹏飞贾敏祝威
- 关键词：中子辐照退火位错
- 中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析被引量：1
- 2014年
- 利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。
- 侯贝贝阮永丰李连钢王鹏飞黄丽陈敬
- 关键词：中子辐照光学性质
- 6H-SiC单晶的中子辐照损伤及其退火特性研究被引量：2
- 2020年
- 用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程。结果表明:中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加;光学带隙能随辐照剂量的增加而降低,这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关。光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域的光散射。对两个剂量辐照的样品进行室温到1600℃的等时退火,发现两个剂量辐照产生的晶格损伤所需的退火回复温度不同,但退火回复过程都呈现出以800℃为转折点的两个相同阶段。
- 黄丽阮永丰
- 关键词：6H-SIC中子辐照吸收光谱
- PPT在大学物理教学中应用的探讨被引量：4
- 2016年
- 文章分析了大学物理PPT教学的现状,讨论了大学物理采用PPT教学的优势,指出PPT教学中存在由于教学方式的不当和课件制作技术的原因而产生的问题,并针对上述问题提出了若干建议以改进PPT教学在大学物理教学中的应用,从而提高大学物理的教学质量。
- 黄丽
- 关键词：PPT教学大学物理教学
- 单面碳膜板的测试稳定性研究
- 2017年
- 为了提高单面碳膜板的测试稳定性,制作出更合格的产品,对比了测试电压、导通阻抗与绝缘阻抗对单面碳膜板性能的影响。结果表明:测试电压为50V,导通阻抗为2KΩ,绝缘阻抗为10MΩ时,测试稳定性最好。
- 滕亚军黄丽
- 关键词：导通阻抗
