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中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测被引量：5: 2012年; 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。; 阮永丰黄丽王鹏飞马鹏飞贾敏祝威; 关键词：中子辐照退火位错

大学物理实验课程思政的建设与探讨被引量：7: 2021年; 为适应新时代发展的需要,在大学物理实验课程中融入思政教育,实现将知识传授与价值观引领相结合。从"大学物理实验"课程思政建设思路,建设途径,建设内容等方面展开课程思政的探讨,为大学物理实验课程中开展课程思政提供了思路和具体要领。"大学物理实验"是高校理工科专业均会开设的基础课程,受众广,把"大学物理实验"与课程思政相结合,影响重大,意义深远。; 王丹丽刘枝朋赵丹丹周严祝威朱飞杨广武; 关键词：大学物理实验价值观

磁矩及地磁场水平分量的测量实验设计: 2024年; 制作设计一种简易的测量磁矩及地磁场水平分量的实验装置,采用智能手机内置的磁传感器以及霍尔传感器分别测量处于地磁场和通电线圈总磁场中磁铁的简谐振动周期,通过曲线拟合完成地磁场的水平分量及磁性材料磁矩的测量和计算,地磁场实验结果与中国科学院地质与地球物理研究所网站的实时观测数据相比相对误差范围为1.83%~1.98%,表明该实验装置和实验方法具有较高的准确性。该实验适用于普通物理实验或者设计性实验,有助于激发学生的实验兴趣,提高学生的动手能力与创新思维。; 赵丹丹严旭阳姜锴马晨淼祝威; 关键词：地磁场智能手机周期磁矩简谐振动

氧化铝模板热卷曲问题的研究被引量：2: 2011年; 多孔阳极氧化铝作为一种理想的模板材料,在纳米合成和微纳米技术领域有广泛的应用,然而氧化铝模板在高温退火时会发生卷曲,这大大限制了它的应用。本文就氧化铝模板的热卷曲问题进行了系统的研究,认为退火时产生次孔是导致模板卷曲的直接原因。并首次提出了采用加压退火方法,有效地解决了退火卷曲问题。文中报告了诸多AAO模板的热卷曲实验数据,并从微观角度对热卷曲原因进行了解释。; 王丹丽阮永丰张灵翠王鹏飞邱春霞祝威; 关键词：多孔阳极氧化铝卷曲

NaYF4：Er/Yb上转换材料的优化制备及其特性研究被引量：3: 2010年; 针对第3代太阳电池用上转换材料,采用改良的水热技术优化制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠(NaYF4)上转换荧光材料。主要关注了有机溶剂和螯合剂对制备上转换材料性能的影响。测试结果表明:有机溶剂乙醇可以有效地抑制YF3等杂峰;螯和剂乙二胺四乙酸二钠(EDTA)可以分散颗粒达到增大颗粒表面积的作用;制备获得了具有六角晶向结构的Yb3+/Er3+共掺上转换材料,其上转换发射出能够被太阳电池有效吸收利用的红光(653 nm)和绿光(5205、40 nm)。; 祝威张晓丹金鑫刘永娟王东丰赵颖; 关键词：乙醇

高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性被引量：5: 2012年; 在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复。重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测。中子辐照对晶体造成了严重的损伤,使其内部产生了大量的缺陷,在某些被测晶面甚至出现非晶化。通过等时退火,缺陷逐渐消失,晶格开始恢复,其恢复特性由退火温度决定。通过X射线衍射峰的峰高和峰型发现,在温度低于600℃时,辐照损伤几乎不变,超过600℃后,温度越高,晶格恢复现象越明显。原来经辐照呈非晶化的晶面逐渐恢复有序,(006)面衍射峰的半高宽随退火温度的升高呈线性恢复。利用此种线性规律可以制作无线传感器,从而实现对某些复杂环境的温场测试。; 祝威阮永丰陈敬马鹏飞王鹏飞黄丽; 关键词：6H-SIC 中子辐照 X射线衍射

中子辐照α-Al_2O_3单晶的光学性质研究: 2012年; 本文利用吸收光谱法、光致发光光谱法和拉曼光谱法对中子辐照的α-Al2O3进行研究。吸收光谱表明,中子辐照除产生F2、F2+、F22+和F3色心外,还能产生[Al-O]3-色心,它对应着325 nm和638 nm两个吸收峰,且具有较低的热稳定性,经300℃退火后消失。光致发光谱法除了检测到F2、F2+和F22+色心对应的发光峰外,还检测到625nm和657 nm发光峰。625 nm发光峰可能对应着高剂量中子辐照下特有的发光中心。657 nm发光峰是经800℃处理后唯一存在的发光峰,它可能来自于反位铝缺陷(AlO)。此外,拉曼光谱显示该剂量的中子辐照不能导致明显的拉曼峰频移和展宽。; 祝威黄丽陈敬侯贝贝王鹏飞阮永丰; 关键词：AL2O3 中子辐照色心光学性质

中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响被引量：3: 2013年; 在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小。测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1000和1400℃两个特征温度。当退火温度低于1000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降。在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释。测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5×104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。; 陈敬阮永丰李连刚祝威王鹏飞侯贝贝王帅; 关键词：中子辐照退火电阻率介电性能

大剂量中子辐照单晶材料的特性研究: 本文以极端条件（大剂量中子辐照）处理的单晶材料为研究对象，测试分析极端条件下单晶材料的表面形貌、电学特性以及光学性质的变化，为研究和开发极端条件下工作的特种材料奠定基础。　　本文采用辐照剂量为1.67×1020n/cm2...; 祝威; 关键词：表面形貌电学特性光学性质

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祝威