汪洋
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 0.5μm GaAs pHEMT射频矩阵开关被引量：2
- 2013年
- 基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150MHz的4×2射频矩阵开关。该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能。开关的工作电压为5V,在950～2 150MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13dB,功率容量为19.4dBm,开关的最大功耗为8mW,适合多模多频段射频前端的应用。
- 汪洋杨洪文张海鹏阎跃鹏刘宇辙
- 关键词：逻辑解码器插入损耗
- 0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计被引量：1
- 2012年
- 在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路。该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置。采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化。设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49%,功率增益达到32dB。
- 张海鹏汪洋李浩
- 关键词：功率放大器自偏置共源共栅
