刘宇辙
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 0.5μm GaAs pHEMT射频矩阵开关被引量：2
- 2013年
- 基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150MHz的4×2射频矩阵开关。该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能。开关的工作电压为5V,在950～2 150MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13dB,功率容量为19.4dBm,开关的最大功耗为8mW,适合多模多频段射频前端的应用。
- 汪洋杨洪文张海鹏阎跃鹏刘宇辙
- 关键词：逻辑解码器插入损耗
- 带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路
- 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，公开了一种带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路，该电路包括片上有源balun构成的本振LO开关级、RF跨导放大级和中频IF负载级，其中RF放大级将RF电压信号经过跨导...
- 孙征宇杨洪文阎跃鹏张立军张韧杨务诚刘宇辙
- 文献传递
- 面向IMT-Advanced应用的射频前端T/R组件的设计与实现
- 2012年
- 阐述了面向IMT-Advanced应用的射频前端T/R组件中各模块的设计与实现方法,并对接收支路和发射支路进行了设计。宽带开关工作频率范围为0～6GHz,具有插入损耗低、隔离度高的优点;超宽带低噪声放大器在700MHz～6GHz的工作范围内增益高且平坦,噪声系数小;宽带功率放大器采用自适应线性化偏置电路,在5.8GHz频段具有优良的线性度。整个T/R组件输入电压为5V,接收支路增益为13.75dB,噪声系数为6.58dB,发射支路增益为22.77dB,输出功率为20.2dBm。
- 杨务诚杨洪文曾云阎跃鹏孙征宇张韧刘宇辙
- 一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关被引量：3
- 2016年
- 利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在(-7.5V/7.5V)控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射频性能的思想,可用于指导开关及其封装的设计.
- 刘宇辙梁晓新万晶阎跃鹏
- 关键词：PHEMT
- 基于HFSS和ADS的新型功率放大器联合仿真设计被引量：2
- 2015年
- 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法。将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益。此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度。
- 贲志红贲志红李跃华杨敏杨敏
- 关键词：射频集成电路寄生效应阻抗匹配
- 一种基于Gysel型功分器的微波双频功分器
- 本实用新型公开了一种基于Gysel型功分器的微波双频功分器，该功分器包括一个输入端口、两个输出端口、两个第一分支传输线、两个第二分支传输线、两个第三分支传输线、一个短路枝节、一个开路枝节和两个接地隔离电阻，输入端口、短路...
- 孙征宇张立军刘宇辙童小东冷永清
- 文献传递
- 封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)被引量：2
- 2013年
- 描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电源5 V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容。芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过三维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模。该开关工作在DC～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB。仿真结果与实测结果基本一致。
- 苏黎明杨洪文刘宇辙孙征宇阎跃鹏
- 关键词：高隔离度
- 功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法
- 本发明属于功率放大器技术领域，具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法，其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5)，稳定电路(5)由一射频输入通路和一直...
- 杨洪文阎跃鹏刘宇辙张韧
- 文献传递
