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倪海乔
作品数:
2
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李文兵
中国科学院半导体研究所
杜云
中国科学院半导体研究所
杨晓红
中国科学院半导体研究所
韩勤
中国科学院半导体研究所
朱彬
中国科学院半导体研究所
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作者
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李文兵
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2009
1篇
2007
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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,包括如下步骤:a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜;b>在晶...
李文兵
韩勤
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杨晓红
倪海乔
杜云
朱彬
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文献传递
利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究
2007年
针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。
李文兵
韩勤
杨晓红
杜云
朱彬
倪海乔
关键词:
MEMS
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