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倪海乔

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化铝
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇腔结构
  • 1篇晶片
  • 1篇空气隙
  • 1篇反射镜
  • 1篇分布布拉格反...
  • 1篇分布布拉格反...
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延技...
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇MEMS
  • 1篇布拉格反射镜
  • 1篇衬底
  • 1篇H
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇朱彬
  • 2篇韩勤
  • 2篇杨晓红
  • 2篇杜云
  • 2篇李文兵
  • 2篇倪海乔
  • 1篇秦龙
  • 1篇鞠研玲

传媒

  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,包括如下步骤:a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜;b>在晶...
李文兵韩勤秦龙杨晓红倪海乔杜云朱彬鞠研玲
文献传递
利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究
2007年
针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。
李文兵韩勤杨晓红杜云朱彬倪海乔
关键词:MEMS
共1页<1>
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